Интересные места

Прямое исследование длины переноса носителей заряда в транзисторах на основе 2D-материалов

2 июля 2026 г.Богдан Северцев1 мин

С помощью поперечной сканирующей туннельной микроскопии была измерена длина переноса носителей заряда в 2 нанометра в транзисторах, изготовленных из монослоя дисульфида молибдена (MoS2) с висмутовыми контактами. Это важное открытие устанавливает критические пределы для масштабирования металлических контактов в 2D-электронных устройствах, размер которых составляет менее 10 нанометров.